HiSilicon Kirin 710F vs Qualcomm Snapdragon 4s Gen 2
Порівняльна таблиця технічних характеристик і тестів бенчмарківУ світі ARM-чипів середнього рівня конкуренція між HiSilicon та Qualcomm завжди цікава. Сьогодні порівнюємо HiSilicon Kirin 710F, випущений у 2019 році, та новіший Qualcomm Snapdragon 4s Gen 2, який дебютував у 2024. Обидва чипи призначені для бюджетних і середньобюджетних смартфонів, але мають різний підхід до архітектури та енергоефективності. Розглянемо їхні ключові характеристики, продуктивність у бенчмарках та особливості, щоб допомогти вам зробити вибір.
Короткий висновок. HiSilicon Kirin 710F демонструє високу енергоефективність (100 балів), але значно поступається Snapdragon 4s Gen 2 у продуктивності CPU (13 проти 19 балів) та загальній потужності. Snapdragon 4s Gen 2 має сучасніший техпроцес 4 нм, вищі результати в AnTuTu (383772 проти 251701) та Geekbench (одноядерний 840 проти 352). Якщо вам важлива енергоефективність, Kirin 710F може бути цікавим, але для ігор і багатозадачності Snapdragon 4s Gen 2 є очевидним лідером.
Основні відмінності
- Snapdragon 4s Gen 2 має новіший техпроцес 4 нм, тоді як Kirin 710F використовує старіший техпроцес (12 нм).
- Snapdragon 4s Gen 2 значно перевершує Kirin 710F у продуктивності CPU за даними Geekbench: одноядерний 840 проти 352, багатоядерний 1910 проти 1244.
- Загальний бал AnTuTu у Snapdragon 4s Gen 2 (383772) на 52% вищий, ніж у Kirin 710F (251701), що свідчить про кращу загальну продуктивність.
- HiSilicon Kirin 710F має найвищу оцінку енергоефективності (100 балів), тоді як у Snapdragon 4s Gen 2 цей показник не наведено.
- Snapdragon 4s Gen 2 підтримує новіші стандарти зв'язку та використовує архітектуру ARMv8.2-A, тоді як Kirin 710F базується на старішій архітектурі.
AnTuTu 10
| CPU | 89753 | 140081 |
| GPU | 34605 | 45022 |
| Memory | 56588 | 89891 |
| UX | 70755 | 108778 |
| Total score | 251701 | 383772 |
GeekBench 6
| Asset compression | 79.9 MB/sec | - |
| HTML 5 Browser | 41.8 pages/sec | - |
| PDF Renderer | 44.5 Mpixels/sec | - |
| Image detection | 13.1 images/sec | - |
| HDR | 49.1 Mpixels/sec | - |
| Background blur | 1.82 images/sec | - |
| Photo processing | 9.39 images/sec | - |
| Ray tracing | 2 Mpixels/sec | - |
3DMark
Центральний процесор
| Архітектура |
4x 2.2 ГГц – Cortex-A73 4x 1.7 ГГц – Cortex-A53 |
2x 2 ГГц – Cortex-A78 6x 1.8 ГГц – Cortex-A55 |
| Кількість ядер | 8 | 8 |
| Частота | 2200 МГц | 2000 МГц |
| Набір інструкцій | ARMv8-A | ARMv8.2-A |
| Кеш L1 | 256 КБ | - |
| Кеш L2 | 512 КБ | - |
| Кеш L3 | 1 МБ | - |
| Техпроцес | 12 нм | 4 нм |
| Кількість транзисторів | 5,5 млрд | - |
| TDP (Sustained) | 5 Вт | - |
| Виробництво | TSMC | Samsung |
Графічний прискорювач
Штучний інтелект
| Нейронний процесор | Немає | Так |
Оперативна пам'ять
| Тип пам'яті | LPDDR4X | LPDDR4X |
| Частота пам'яті | 1866 МГц | 2133 МГц |
| Шина | 2x 32 Біти | 2x 16 Біт |
| Об'єм | До 8 ГБ | До 8 ГБ |
Мультимедіа (ISP)
| Тип накопичувача | eMMC 5.1, UFS 2.1 | UFS 2.2, UFS 3.1 |
| Макс. роздільна здатність дисплея | 2340 x 1080 | 2520 x 1200 |
| Макс. роздільна здатність фотокамери | 1x 48 МП, 2x 24 МП | 1x 84 МП, 2x 13 МП |
| Запис відео | 1K при 30FPS | 1K при 60FPS |
| Відтворення відео | 1080p при 60FPS | 1080p при 60FPS |
| Підтримка кодеків |
- H.264 - H.265 - VP8 - VP9 |
- H.264 - H.265 |
| Аудіо |
- AIFF - CAF - MP3 - MP4 - WAV |
- AAC - AIFF - CAF - MP3 - MP4 - WAV |
Зв'язок та мережі
| Підтримка 4G | LTE Cat. 12 | - |
| Підтримка 5G | Немає | Так |
| Швидкість завантаження | До 600 Мбіт/с | До 1000 Мбіт/с |
| Швидкість завантаження | До 150 Мбіт/с | - |
| Wi-Fi | 4 | 5 |
| Bluetooth | 4.2 | 5.1 |
| Навігація | GPS, GLONASS, Beidou, Galileo | GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, NAVIC |
Загальна інформація
| Дата анонсу | Січень 2019 року | Липень 2024 року |
| Клас | Середній клас | Середній клас |