Порівняння Radeon 660M та GeForce RTX 3080
Порівняльна таблиця технічних характеристик і тестів бенчмарків
3D Mark
GeekBench 6 OpenCL
| Background Blur | 36 img/sec | 217.3 img/sec |
| Face Detection | 16.4 img/sec | 141.9 img/sec |
| Horizon Detection | 0.48 Gpixels/sec | 8.19 Gpixels/sec |
| Edge Detection | 0.65 Gpixels/sec | 11 Gpixels/sec |
| Gaussian Blur | 0.53 Gpixels/sec | 8.43 Gpixels/sec |
| Feature Matching | 0.18 Gpixels/sec | 1.29 Gpixels/sec |
| Stereo Matching | 46.5 Gpixels/sec | 780.7 Gpixels/sec |
| Particle Physics | 2056.5 FPS | 22538.5 FPS |
| API | OpenCL | OpenCL |
Passmark Graphics
| G2D Mark | 795 | 1039 |
| DirectX 11 | 162 FPS | 208 FPS |
| DirectX 12 | 80 FPS | 101 FPS |
| GPU Compute | 2969 Ops/s | 14850 Ops/s |
GFXBench 5
| Aztec Ruins Normal Tier | 109.1 FPS | 950.5 FPS |
| Car Chase | 106.4 FPS | 809.5 FPS |
| Manhattan 3.1.1 (1440p) | 87.7 FPS | 705.4 FPS |
| T-Rex | 368.5 FPS | 3523.2 FPS |
| Tessellation | 320.9 FPS | 6034.6 FPS |
| ALU 2 | 451.3 FPS | 6005.6 FPS |
| Driver Overhead 2 | 170.1 FPS | 283.8 FPS |
| API | OpenGL | OpenGL |
| OS | Windows | Windows |
Загальна інформація
| Виробник | Amd | Nvidia |
| Складання | Інтегрована | Дискретна |
| Дата виходу | 1 січня 2022 | 1 вересня 2020 |
| Форм-фактор | Для ноутбука | Десктоп |
| Призначення | Універсальна | Ігрова |
| Сегмент | Початковий | Високий |
| Архітектура | RDNA 2.0 | Ampere |
| Кодове ім'я | Rembrandt | GA102 |
Графічний процесор
| Базова частота | 400 МГц | 1440 МГц |
| Boost частота | 1800-1900 МГц | 1710 МГц |
| Шейдерні блоки | 384 | 8704 |
| Текстурні блоки (TMUs) | 24 | 272 |
| Блоки виведення (ROPи) | 16 | 96 |
| Обчислювальні блоки (Pipelines) | 6 | 68 |
| Ядра трасування променів | 6 | 68 |
| Кеш L1 | 128KB per cluster | 128KB per cluster |
| Кеш L2 | 1024KB shared | 5MB shared |
Теоретична продуктивність
| Pixel Fill Rate | 29-30 ГПікс/с | 164 ГПікс/с |
| Texture Fill Rate | 43-46 ГТекс/с | 465 ГТекс/с |
Виробництво
| Інтерфейс | PCIe 4.0 x8 | PCIe 4.0 x16 |
| TGP | 15 Вт | 320 Вт |
| Виробництво | TSMC | Samsung |
| Техпроцес | 6 нм | 8 нм |
| Розмір кристала | 208 мм² | 628 мм² |
| Кількість транзисторів | 13,1 млрд | 28 млрд. |
| Щільність транзисторів | 62.98 МТр/мм² | 44.59 МТр/мм² |
Пам'ять
| Тип пам'яті | System Shared | GDDR6X |
| ECC | Немає | Немає |
API
| DirectX | 12 | 12 |
| Vulkan | 1.2 | 1.3 |
| OpenGL | 4.6 | 4.6 |
| OpenCL | 2.0 | 3.0 |
| Трасування променів | Так | Так |
| DLSS | No | DLSS 2 |