Apple M4 GPU (8-core) vs GeForce GTX 1050 Mobile
Порівняльна таблиця технічних характеристик і тестів бенчмарківПорівняння відеокарт Apple M4 GPU (8-core) та GeForce GTX 1050 Mobile допоможе визначити, яка з них краще підходить для ваших завдань. Обидві моделі призначені для ноутбуків, але мають різні архітектури та продуктивність. Розглянемо ключові характеристики, результати бенчмарків та особливості кожної.
Короткий висновок. Apple M4 GPU (8-core) та GeForce GTX 1050 Mobile мають подібний загальний рейтинг (47 проти 49), але різні сильні сторони. M4 GPU виграє в енергоефективності та має вищий показник GB6 Compute Score (31734 проти 22121), тоді як GTX 1050 Mobile демонструє кращу ігрову продуктивність (43 проти 37). Для професійних застосунків M4 GPU може бути кращим вибором, а для ігор – GTX 1050 Mobile.
Основні відмінності
- Apple M4 GPU (8-core) вийшов у 2024 році, а GeForce GTX 1050 Mobile – у 2017 році.
- M4 GPU має вищий GB6 Compute Score (31734), ніж GTX 1050 Mobile (22121).
- GTX 1050 Mobile має вищий ігровий рейтинг (43) порівняно з M4 GPU (37).
- M4 GPU є інтегрованою відеокартою, тоді як GTX 1050 Mobile – дискретна.
- Обидві підтримують OpenCL, але M4 GPU має новішу архітектуру Apple M GPU.
GeekBench 6 OpenCL
| API | OpenCL | OpenCL |
Загальна інформація
| Виробник | Apple | Nvidia |
| Складання | Інтегрована | Дискретна |
| Дата виходу | 29 жовтня 2024 | 3 січня 2017 |
| Форм-фактор | Для ноутбука | Для ноутбука |
| Призначення | Професійна | Ігрова |
| Сегмент | Середній | Середній |
| Архітектура | Apple M GPU | Pascal |
| Кодове ім'я | Custom | GP107 (N17P-G0) |
Графічний процесор
| Базова частота | 500 МГц | 1354 МГц |
| Boost частота | 1800 МГц | 1493 МГц |
| Шейдерні блоки | 1024 | 640 |
| Текстурні блоки (TMUs) | 64 | 40 |
| Блоки виведення (ROPи) | 32 | 16 |
| Обчислювальні блоки (Pipelines) | 128 | 5 |
Теоретична продуктивність
| Pixel Fill Rate | 58 ГПікс/с | 24 ГПікс/с |
| Texture Fill Rate | 115 ГТекс/с | 60 ГТекс/с |
Виробництво
| Інтерфейс | Custom | PCIe 3.0 x16 |
| TGP | 15 Вт | 55 Вт |
| Виробництво | TSMC | Samsung |
| Техпроцес | 3 нм | 14 нм |
| Кількість транзисторів | 28 млрд. | 3,3 млрд |
| Максимальна температура | 100°C | 97°C |
Пам'ять
| Тип пам'яті | System Shared | GDDR5 |
| Частота пам'яті | 7500 МГц | 1752 МГц |
| Ефективна частота пам'яті | 15000 Мбіт/с | 7008 Мбіт/с |
| Шина | 128-біт | 128-біт |
| ECC | Немає | Немає |